[반도체] 중국, 이머전 방식의 DUV 노광장비 양산 시작

https://n.news.naver.com/mnews/article/018/0006337831?sid=101

中 DUV 노광장비 자체 생산설에 ASML 8%대 급락

 

 

 

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DUV vs EUV 차이

	DUV	EUV
빛의 파장	193nm	13.5nm
의미	Deep Ultraviolet(심자외선)	Extreme Ultraviolet(극자외선)
미세 공정	약 10~65nm 수준(멀티 패터닝 활용 시 더 미세 가능)	7nm 이하 공정에 매우 유리
렌즈	일반 광학 렌즈 사용	렌즈 사용 불가, 특수 반사 거울 사용
가격	수백억 원	4,000억~5,000억 원 이상

 

DUV에도 종류가 있다. 그래서 장비도 다양하다.

 

• KrF (248nm) : 비교적 오래된 공정
• ArF Dry (193nm) : 더 미세한 공정
• ArF Immersion (193nm) : 물(초순수)을 렌즈와 웨이퍼 사이에 채워 해상도를 높인 방식으로, 현재 가장 널리 사용되는 DUV 장비

특히 ArF Immersion은 EUV가 등장하기 전까지 최첨단 반도체 생산의 핵심 장비였다. 현재 EUV 장비를 사실상 독점 공급하는 ASML도 EUV뿐 아니라 DUV 장비도 함께 생산하고 있으며, 실제 판매 대수는 여전히 DUV 장비가 훨씬 많다고 한다. 이머전 DUV 장비도 ASML이 '거의 독점'하고 있다. Nikon이 일부 이머전 DUV를 생산하고, Canon도 일부 DUV 장비를 생산하지만 실제 최첨단 공정(10nm, 7nm, 5nm 등)에 쓰이는 이머전 DUV 시장에서는 ASML의 점유율이 압도적이다.

 

 

 

EUV가 더 뛰어난데 왜 DUV를 사용할까?

EUV가 최신 기술이지만 모든 공정을 EUV로 하는 것은 아니다.

1. 비용이 훨씬 저렴하다.

2. 대부분의 반도체 층은 EUV가 필요하지 않다.

3. 성숙 공정(28nm, 40nm, 65nm 등)은 DUV만으로 충분하다.
4. 최첨단 공정에서도 EUV와 DUV를 함께 사용합니다.

예를 들어 3nm 공정을 만드는 경우에도 이렇게 사용하는 식이다.
-> 가장 미세한 회로층은 EUV

-> 금속 배선이나 상대적으로 덜 미세한 층은 DUV

 

메모리(DRAM, NAND): EUV와 DUV를 함께 사용
최첨단 CPU/GPU(3nm, 2nm): 핵심 층은 EUV, 나머지는 DUV
자동차용 반도체, 전력반도체, 이미지센서: 대부분 DUV 사용

 

 

 

중국에서 이머전 DUV 양산 뉴스 의미

<배경>

미국 주도 하에 중국으로 반도체 장비 수출이 통제되고 있다. 가장 정교한 EUV 장비의 중국 수출은 전면 금지되어 있고, 최상급 이머전 DUV 장비 판매도 제한받고 있다. 중국은 지난 2분기 기준 ASML의 3대 시장 중 하나지만, 실제 수출되는 장비는 최신 모델보다 8세대 뒤처진 제품들이다.

 

만약 중국이 최신 이머전 DUV를 자체적 & 안정적으로 양산할 수 있다면?

중국은 ASML에 의존하지 않아도 되고, 장기적으로 ASML의 최대 시장 중 하나를 잃을 수 있으며, 앞으로 EUV까지 독자 개발을 시도할 기반을 마련할 수도 있다. 물론 EUV는 DUV보다 기술 난도가 몇 단계나 더 높기 때문에, 중국이 곧바로 EUV를 따라잡을 가능성은 낮다고 보는 견해가 많다. 즉 시장은 중국이 단기적으로 ASML을 위협하기는 어렵지만, 장기적으로는 중국이 독자 공급망을 구축할 수 있다는 신호로 보았기 때문에 ASML의 주가가 하락한 것으로 보인다.

한 줄 정리
- EUV = ASML 완전 독점

- 이머전 DUV = ASML 압도적 1위(사실상 독점)

- 중국이 이머전 DUV 자체 생산에 성공했다는 소식은 ASML의 장기 독점 구조가 흔들릴 수 있다는 신호로 받아들여져 주가 하락함